|
۱ |
تقویت کننده توان چند خروجی، توزیع یافته با پهنای باند گسترده برای سیستم های چند ورودی ، چند خروجی در فناوری AlGaN/GaN pHEMT بر روی سیلیکون |
|
۶۵۲ بار |
|
۲ |
A Low-Power Variable-Resolution Asynchronous Analog-to-Digital Converter |
|
۱۰۸ بار |
|
۳ |
A High-Speed Optical Receiver Front-end for Single Photon Avalanche Diodes (SPADs) |
|
۱۲۲ بار |
|
۴ |
طراحی یک تقویت کننده توان مد پیوسته با قابلیت کار همزمان در دو باند فرکانسی |
|
۱۰۷ بار |
|
۵ |
افزایش رنج فرکانس کاری و کاهش جیتر در مدارهای ضربکننده فرکانسی مبتنی بر ترکیبکننده لبه حلقه تاخیر قفل شده |
|
۱۰۷ بار |
|
۶ |
یک ساختار جدید برای خواندن سیگنال پیکسل با سطح سیلیکونی پایین و خطییت بالا |
|
۸۷ بار |
|
۷ |
A Low-Power Low-Noise Neural Recording Amplifier With Improved Telescopic-Cascode OTA |
|
۱۰۷ بار |
|
۸ |
A Wideband Low-Noise Inductorless CMOS Active Mixer With Improved Linearity |
|
۹۷ بار |
|
۹ |
A350µW, Low Noise Amplifier for IOT applications |
|
۸۹ بار |
|
۱۰ |
پیاده سازی یک زیرسیستم دیکدرBCH برای گیرنده DVB-S۲بر روی FPGA |
|
۹۷ بار |
|
۱۱ |
A 280mv Input Fast Transient Startup Charge Pump with a 4 Phase Ring Oscillator for Energy Harvesting Applications |
|
۹۸ بار |
|
۱۲ |
A 350µW, Low Noise Amplifier for IOT applications |
|
۹۴ بار |
|
۱۳ |
بهبود عملکرد لچ های مقاوم در تکنولوژی GAA |
|
۹۳ بار |
|
۱۴ |
پیاده سازی آشکارسازی مبتنی بر الگوریتم ADMIN بر روی FPGA برای سیستمهای Massive MIMO |
|
۹۱ بار |
|
۱۵ |
طراحی و شبیه سازی مخلوطکننده سلول گیلبرت با خطینگی و بهره تبدیل بالا در فرکانس X برابر۹.۴GHz |
|
۹۱ بار |
|
۱۶ |
A New Configuration for Two-Stage OTA LHP Zeroes |
|
۹۲ بار |
|
۱۷ |
High Slew Rate Op-Amp Using LHP Zeroes |
|
۱۱۱ بار |
|
۱۸ |
یک تقویت کننده کم نویز بالون با به کار بردن تکنیک فیدبک مثبت و تقسیم کننده جریان بهیود یافته و بارهای مشابه برای تیونر تلویزیون های دیجیتال |
|
۹۹ بار |
|
۱۹ |
A 28GHz Harmonic Injection Doherty Power Amplifier |
|
۱۱۳ بار |
|
۲۰ |
A ka-band Power Amplifier with Linearization Technique in 0.18-μm CMOS Process |
|
۹۰ بار |
|
۲۱ |
A High-Performance CMOS Hybrid Envelope Tracking Power Amplifier Paper for Wideband High PAPR Applications |
|
۸۶ بار |
|
۲۲ |
طراحی و تحلیل ضرب کننده لگاریتمی با روش تجزیه عملوند بهبودیافته با استفاده از جمع کننده های تقریبی |
|
۱۴۳ بار |
|
۲۳ |
فیلتر میاننگذر تفاضلی با قابلیت تغییر فرکانس باند توقف و حذف نویز مود مشترک با استفاده از گذار مایکرواستریپ به شکاف |
|
۹۱ بار |
|
۲۴ |
Lifetime improvement of perovskite solar cell using a photoactive phase change material |
|
۹۶ بار |
|
۲۵ |
طراحی پیوند نامتناجس بلور فونونی برای یکسوسازی موج اکوستیک سطحی |
|
۸۹ بار |
|
۲۶ |
شبیه سازی آشکارسازنوری مبتنی بر نانونوار دی سولفید مولیبدن در اتصال با الکترودهای گرافنی نامتقارن |
|
۹۷ بار |
|
۲۷ |
Study of Donor like Surface Trap Emission in GaN HEMTs |
|
۹۶ بار |
|
۲۸ |
Sensitive photodetector based on organic inorganic two-dimentional Perovskite/Silicon hybrid heterostructure |
|
۱۰۴ بار |
|
۲۹ |
Diagnosing cancerous tumor by two techniques: photoacoustic imaging and thermoacoustic tomography with electric excitation—a numerical approach for comparison |
|
۱۰۲ بار |
|
۳۰ |
بررسی نقش مهاجرت یونی بر عملکرد دیودهای نور گسیل پروسکایتی |
|
۱۱۵ بار |
|
۳۱ |
بررسی و مدلسازی رشد ساختار ابرشبکه InAs/GaSb بر روی زیرلایه کترنری |
|
۱۱۰ بار |
|
۳۲ |
AN ULTRASONIC TOMOGRAPHY FLOWMETER IMPLEMENTATION FOR GAS/LIQUID TWO-PHASE FLOW MEASUREMENT |
|
۱۰۲ بار |
|
۳۳ |
بررسی عملکرد لیزرهای نقطه کوانتومی دو طول موجه برای افزایش پهنای باند |
|
۹۸ بار |
|
۳۴ |
Bandgap Engineering of Armchair Germanene Nanoribbons by Edge Passivation: A First Principles Study |
|
۹۱ بار |
|
۳۵ |
Effect of the QW number to produce circular single-mode beam in 1060 nm laser diodes |
|
۱۴۱ بار |
|
۳۶ |
Dark Current Evaluation in HgCdTe-based nBn Infrared Detectors |
|
۱۰۱ بار |
|
۳۷ |
Design of a 3-state Unit Cell for DMTL Phase Shifters |
|
۱۰۹ بار |
|
۳۸ |
Design of a Tunable Wideband Differential Amplifier Based on RF-MEMS Switches |
|
۹۲ بار |
|
۳۹ |
Design and simulation of optical XNOR logic gate based on MEMS technology |
|
۹۳ بار |
|
۴۰ |
تقویت کننده توان چند خروجی، توزیع یافته با پهنای باند گسترده برای سیستم های چند ورودی ، چند خروجی در فناوری AlGaN/GaN pHEMT روی سیلیکون |
|
۸۴ بار |