|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
تقویت کننده توان چند خروجی، توزیع یافته با پهنای باند گسترده برای سیستم های چند ورودی ، چند خروجی در فناوری AlGaN/GaN pHEMT بر روی سیلیکون |
|
| چکیده فارسی مقاله |
این مقاله شامل طراحی و پیاده سازی و نتایج تست نخستین تراشه تقویت کننده توان توزیع یافته (Distributed) دارای چهار خروجی است. ساختار جدید به بهبود بازده تقویت کننده کمک زیادی می کند، و کاربرد آن را در فرستنده های آرایه فازی، و سیستم های پهن باند دارای چند آنتن و دارای چند خروجی و ورودی MIMO تسهیل می کند. تراشه در فناوری 100 nm GaN در مساحت 3 mm2 ساخته و تست شده است. برای بازده توان بالا در پهنای باند وسیع از ایده کلاس J استفاده شده است. برای معرفی امپدانس بهینه Zopt به خط درین و خط گیت شبیه سازی های گسترده در بار (Load Pull-LP) و منبع (Source Pull-SP) انجام شده است. برای تست تراشه از یک ساختار انتقال حرارت چند لایه مبتنی بر AuSn و آلیاژ مس مولیبدن 60Mo/40Cu استفاده شده است. این تقویت کننده توان دارای حداکثر توان خروجی 41dBm در مجموع چهار خروجی خود ، حداکثر بازده توان PAE=73% ، بیشینه بهره توان 21 dB، در پهنای باند DC تا 25 گیگا هرتز است. حداکثر اختلاف در توان چهار پورت خروجی 1.5 dB است. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
|
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
حمید هلالیان |
دانشگاه صنعتی شریف
سید مجتبی عطاردی |
دانشگاه صنعتی شریف
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-144-3&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
