|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
طراحی یک تقویت کننده توان مد پیوسته با قابلیت کار همزمان در دو باند فرکانسی |
|
| چکیده فارسی مقاله |
تقویت کننده های توان با بازدهی بالا یکی از مهمترین و اصلی ترین بخشهای فرستنده-گیرنده های رادیویی هستند. این مقاله به طراحی یک تقویت کننده ی توان مد پیوسته با قابلیت کار همزمان در دو باند فرکانسی میپردازد. باند فرکانسی اول 2.14 گیگاهرتز از نسل چهارم (4G) و باند فرکانسی دوم 5.9 گیگاهرتز از نسل پنجم ارتباطات (5G Sub - 6 GHz) می باشد. این تقویت کننده، در هر دو باند فرکانسی در کلاس J کار می کند. در طراحی مدارهای تطبیق ورودی و خروجی، امپدانس اینترمدولاسیون f1+f2 از بین رفته است، که این امر باعث افزایش بازدهی به میزان 10 درصد گردیده است. پس از آن، با استفاده از تکنولوژی 0.25um GaAs pHEMT مدار نهایی جانمایی گردیده است. با استفاده از شبیه سازی الکترومغناطیس، بهره ی توان برای عملکرد همزمان تقویت کننده در فرکانس های 2.14 و 5.9 گیگاهرتز، به ترتیب برابر 5.98 و 6.15 dB می باشد. همچنین، PAE شبیه سازی شده برای عملکرد همزمان تقویت کننده در فرکانس های 2.14 و 5.9 گیگاهرتز به ترتیب برابر 42.5 و 48.2 درصد می باشد. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
|
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
محمد حسن نوذری |
دانشگاه صنعتی امیرکبیر
محسن معزی |
دانشگاه صنعتی امیرکبیر
امیر رضا علیزاده |
دانشگاه صنعتی امیرکبیر
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-159-1&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
