|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
بهبود عملکرد لچ های مقاوم در تکنولوژی GAA |
|
| چکیده فارسی مقاله |
تکنولوژی های چندگیتی به دلیل پوشانندگی بهتر گیت، کنترل بهتری روی نشتی جریان و در نتیجه کاهش توان مصرفی دارند. این مقاله به نشان دادن مزیت استفاده از لچ های مقاوم در تکنولوژی گیتهای همه جانبه (GAA) با ساختارهای مشابه در تکنولوژی FinFET می پردازد. بررسی حاصلضرب توان-تاخیر این مدارات نیز نشان میدهد که PDP لچهای مقاوم در این تکنولوژی از 25% تا 70% بهبود یافته است. همچنین مقایسه بار بحرانی در دو تکنولوژی نشان میدهد که تغییرات باربحرانی در مدار لچ NST-VB %2 افزایش و در سایر موارد تا حدی کاهش یافته است. بررسی روند تغییرات پارامترها در برابر تغییرات ولتاژ تغذیه در مدار نمونه NST-VB نیز بیانگر اعتبار نتایج به دست آمده در برابر تغییرات ولتاژ تغذیه است. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
|
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
مریم شکرریز |
دانشگاه گیلان
راهبه نیارکی اصلی |
دانشگاه گیلان
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-132-1&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
