|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
|
|
| چکیده فارسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
A 28GHz Harmonic Injection Doherty Power Amplifier |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
In this paper a 28 GHz fully on chip Doherty power amplifier with harmonic injection is presented in 65 nm CMOS technology. In order to improve the linearity, two injection amplifier stages biased in class C are used. In this method, injection of the second harmonic compensates the gain compression phenomena, and improves the output P_1dB and PAE at P_1dB by more than 6.1dB and 9 %, respectively. Post-Layout EM (electromagnetic) simulation of PA illustrates maximum PAE of 19.6%, PAE of 14% at 6dB back-off, 6 dB gain, and 19 dBm saturated output power. The layout area is 0.445 mm2. |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
Doherty power amplifier، harmonic injection، main amplifier، auxiliary amplifier، mm wave |
|
| نویسندگان مقاله |
| Armin Amirkhani
Tarbiat modares university
| Negar Choupan
Tarbiat modares university
| Abdolreza Nabavi
Tarbiat modares university
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-141-5&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
en |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
