|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
طراحی پیوند نامتناجس بلور فونونی برای یکسوسازی موج اکوستیک سطحی |
|
| چکیده فارسی مقاله |
در این مقاله، یک افزاره امواج آکوستیک سطحی (SAW) یکسویه بر بستر بلورهای فونونی ارائه وشبیه سازی شده است. افزاره پیشنهادی شامل دو ناحیه بلور فونونی از جنس Si است که بر روی یک بستر یکپارچه Si قرار دارند و امواج الاستیک را در یک مرز 45 درجه یه یکدیگر تزویج می کنند. اساس کار این افزاره یکسویه بر پایه تطابق جهت انتشاری مدهای هدایت کننده سطحی برای یک ناحیه از بلورها با گاف تشدیدهای سطحی محلی (LSR) ناحیه دیگر است. فرکانس مرکزی گاف های LSR را که نسبت به گاف براگ دارای فرکانس های پایین تری در ثابت شبکه یکسان است، می توان با تغییر ابعاد تشدیدکننده ها تنظیم کرد. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که با استفاده از افزاره پیشنهادی می توان به نرخ یکسوسازی dB 34 با توان عبوری dB 10.68- در فرکانس GHz 6.9 دست یافت. افزاره پیشنهادی یک یکسوساز SAW استاتیک است که یکپارچه از جنس Si بوده و با فرآیند ساخت CMOS سازگار است. به علاوه، در آن از میدان های الکتریکی و مغناطیسی برای یکسوسازی استفاده نشده و ابعاد آن در حد چند میکرومتر است که با توجه به نرخ یکسوسازی بالای آن، افزاره مناسبی برای کاربردهای پردازش سیگنال درون تراشه ای در سیستم های مخابراتی بی سیم فرکانس بالا است. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
|
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
رحمان شرف |
دانشگاه تربیت مدرس
سارا درباری |
دانشگاه تربیت مدرس
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-166-1&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
