|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
|
|
| چکیده فارسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
Study of Donor like Surface Trap Emission in GaN HEMTs |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
Gate-lag induced trapping effects due to donor like surface traps located in the access regions between the electrodes of AlGaN/GaN HEMTs are investigated through TCAD transient simulations. The effects of variation in trap energy level and temperature on the current collapse transient characteristics have been studied. A simple physical model is proposed (based on the Arrhenius relation) to obtain the emission time constants versus trap energy level and temperature which is in a good agreement with TCAD simulations. |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
GaN HEMT، Trapping Effect، Current Collapse، Gate lag. |
|
| نویسندگان مقاله |
| amirali chalechale
| Majid Shalchian
| Farzan jazaeri
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-110-1&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
en |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
