|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
بررسی نقش مهاجرت یونی بر عملکرد دیودهای نور گسیل پروسکایتی |
|
| چکیده فارسی مقاله |
علی رغم رشد سریع دیودهای نورگسیل پروسکایتی در چند سال اخیر، نقش مهاجرت یونی بر عملکرد این افزاره ها ناشناخته باقی مانده است. از طرفی مهاجرت یونی به عنوان یک پدیده ی ذاتی ، ریشه ی اصلی ناپایداری این افزاره ها بوده و از طرف دیگر یون های مهاجر با منفعل سازی مرزهای دیود نورگسیل پروسکایتی منجر به بهبود تزریق حامل و افزایش بازترکیبی تابشی می شوند. ما در این مقاله با روش عددی عنصر متناهی، ابتدا به شبیه سازی عملکرد یک دیود نورگسیل تخت پرداخته و سپس با اضافه کردن معادلات مهاجرت یونی تأثیر این پدیده بر عملکرد افزاره را بررسی کرده ایم. با توجه به نتایج شبیه سازی می توان گفت که در مهاجرت یونی، یون هالید به دلیل تحرک پذیری زیاد نقش اصلی را ایفا می کند. همچنین مهاجرت یونی فرایندی شناخته می شود که با عملکرد و پایداری افزاره ی پروسکایتی ارتباط تنگاتنگی داشته و با کنترل آن می توان به افزاره هایی با بازده کوانتومی بالاتر دست یافت. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
|
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
پریا فروزی |
دانشگاه تربیت مدرس
محمد ظهورفاضلی |
دانشگاه تربیت مدرس
مرتضی مالکی |
دانشگاه شهید باهنر کرمان
مهران مین باشی |
دانشگاه تربیت مدرس
الناز یزدانی |
دانشگاه تربیت مدرس
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-109-1&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
