3rd Iranian International Conference on Microelectronics

عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله

عنوان انگلیسی A 28GHz Harmonic Injection Doherty Power Amplifier
چکیده انگلیسی مقاله In this paper a 28 GHz fully on chip Doherty power amplifier with harmonic injection is presented in 65 nm CMOS technology. In order to improve the linearity, two injection amplifier stages biased in class C are used. In this method, injection of the second harmonic compensates the gain compression phenomena, and improves the output P_1dB and PAE at P_1dB by more than 6.1dB and 9 %, respectively. Post-Layout EM (electromagnetic) simulation of PA illustrates maximum PAE of 19.6%, PAE of 14% at 6dB back-off, 6 dB gain, and 19 dBm saturated output power. The layout area is 0.445 mm2.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله Doherty power amplifier، harmonic injection، main amplifier، auxiliary amplifier، mm wave

نویسندگان مقاله | Armin Amirkhani
Tarbiat modares university

| Negar Choupan
Tarbiat modares university

| Abdolreza Nabavi
Tarbiat modares university

نشانی اینترنتی http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-141-5&slc_lang=fa&sid=1
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   دوره مرتبط   |   کنفرانس مرتبط   |   فهرست کنفرانس ها