3rd Iranian International Conference on Microelectronics

عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله

عنوان انگلیسی A ka-band Power Amplifier with Linearization Technique in 0.18-μm CMOS Process
چکیده انگلیسی مقاله This paper presents a class AB power amplifier (PA) with a pre-distortion linearizer for 28GHz mobile communications in TSMC 0.18-μm CMOS technology. To achieve a high linear output, a parasitic diode at the common source (CS) input is employed to reduce the variation of the input capacitance and improve the Pout characteristic. The simulation results show that the proposed PA consumes 163.36 mW, and the power gain (S21) of 18 dB is achieved at 28 GHz. The PA achieves saturated power (Psat) of 17.62 dBm and maximum PAE of about 21% with an output 1-dB compression point (OP1dB) of 16.21 dBm. By pre-distortion linearization, the output power at the 1dB compression point is increased by 3.55dB, with an efficient gain compensation performance.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CMOS، power amplifier، RF، mm-Wave، power added efficiency (PAE)، integrated circuits، linearity

نویسندگان مقاله | negar choupan

| armin amirkhani

| abdolreza nabavi

نشانی اینترنتی http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-143-2&slc_lang=fa&sid=1
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   دوره مرتبط   |   کنفرانس مرتبط   |   فهرست کنفرانس ها