3rd Iranian International Conference on Microelectronics

عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله

عنوان انگلیسی Study of Donor like Surface Trap Emission in GaN HEMTs
چکیده انگلیسی مقاله Gate-lag induced trapping effects due to donor like surface traps located in the access regions between the electrodes of AlGaN/GaN HEMTs are investigated through TCAD transient simulations. The effects of variation in trap energy level and temperature on the current collapse transient characteristics have been studied. A simple physical model is proposed (based on the Arrhenius relation) to obtain the emission time constants versus trap energy level and temperature which is in a good agreement with TCAD simulations.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله GaN HEMT، Trapping Effect، Current Collapse، Gate lag.

نویسندگان مقاله | amirali chalechale

| Majid Shalchian

| Farzan jazaeri

نشانی اینترنتی http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-110-1&slc_lang=fa&sid=1
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   دوره مرتبط   |   کنفرانس مرتبط   |   فهرست کنفرانس ها