|
|
3rd Iranian International Conference on Microelectronics
|
|
|
| عنوان فارسی |
بررسی و مدلسازی رشد ساختار ابرشبکه InAs/GaSb بر روی زیرلایه کترنری |
|
| چکیده فارسی مقاله |
امروزه ساختارهای ابرشبکه (super lattice structures) در موارد بسیار زیادی نظیر تزانزیستورها، لیزرها و فوتودیودها کاربرد دارند. با شبیه سازی رشد این مواد پیش از ساخت می توان هزینه ساخت ماده اولیه را کاهش داد و از هدررفت منابع جلوگیری کرد. با تغییر ضخامت لایه های مختلف ساختارهای ابرشبکه گاف انرژی و طول موج جذب یا نشر نور متناسب با آن در رنج وسیعی تغییر می کند که امکان رشد ادوات با کاربردهای مختلف را به ما می دهد. یکی از مشکلاتی که در رشد ساختارهای ابرشبکه وجود دارد این است که با تغییر ضخامت لایه ها برای دستیابی به گاف انرژی مطلوب ثابت شبکه کریستالی ساختارابرشبکه تغییر می کند و امکان رشد آن بر روی زیرلایه به دلیل عدم انطباق زیاد وجود ندارد. در این مقاله قصد بر این است که رشد ابرشبکه InAs/GaSb بر روی زیرلایه از جنس مواد چهارگانه یا کترنری (quaternary) بررسی شود. ترکیب ماده کترنری به نحوی بهینه می شود که امکان رشد ضخامت های متفاوت ساختار ابرشبکه با عدم انطباق زیر 1 درصد به دست بیاید. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
|
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
احمدامین علایی فرد |
وحیدرضا یزدان پناه |
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://iicm2021.modares.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-161-1&slc_lang=fa&sid=1 |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
دوره مرتبط |
کنفرانس مرتبط |
فهرست کنفرانس ها
|
